| 发明名称 | 发光二极管外延及发光二极管电子阻挡层的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种发光二极管外延及发光二极管电子阻挡层的生长方法，其中，发光二极管外延的生长方法包括：在衬底上，从下至上依次生长非掺杂层、N型掺杂层及量子阱发光层；在所述量子阱发光层上，从下至上依次生长氮化镓铝AlGaN电子阻挡层和P型掺杂层，其中，随着所述AlGaN电子阻挡层的生长厚度的增加，AlGaN电子阻挡层中Al组份的含量按照梯度变化。本实施例通过利用渐变的晶格尺寸可以降低外延界面层晶格失配度，有效阻断量子阱区产生的V形缺陷对P型区的影响，同时由于渐变的能级结构设计可以有效阻挡电子进入P型空穴区，提高电子在量子阱有源区与空穴的复合效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104201263A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201410468822.2 | 申请日期 | 2014.09.15 |
| 申请人 | 圆融光电科技有限公司 | 发明人 | 焦建军;黄炳源;周德保;康建;梁旭东 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种发光二极管外延的生长方法，其特征在于，包括：在衬底上，从下至上依次生长非掺杂层、N型掺杂层及量子阱发光层；在所述量子阱发光层上，从下至上依次生长氮化镓铝AlGaN电子阻挡层和P型掺杂层，其中，随着所述AlGaN电子阻挡层的生长厚度的增加，AlGaN电子阻挡层中Al组份的含量按照梯度变化。 | ||
| 地址 | 243000 安徽省马鞍山市经济开发区湖西大道南路259号1-一层 | ||