| 发明名称 | 半导体陶瓷组合物及其制备方法、PTC元件和加热模块 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体陶瓷组合物，其中BaTiO<sub>3</sub>中的部分Ba被Bi-Na取代，当降低常温电阻率时该组合物显示出了优异的跃升特性，并可降低常温电阻率，电阻率随时间变化较小。提供一种半导体陶瓷组合物，该组合物可用如下通式表示[(Bi<sub>θ</sub>-Na<sub>δ</sub>)<sub>x</sub>(Ba<sub>1-y</sub>R<sub>y</sub>)<sub>1-x</sub>]TiO<sub>3</sub>(R是至少一种稀土元素)，其中，x、y、θ和δ分别满足0＜x≤0.3，0＜y≤0.02，0.46＜θ≤0.62，0.45≤δ≤0.60，Bi/Na在烧结体中的摩尔比为1.02＜Bi/Na≤1.20。一种半导体陶瓷组合物的制备方法，方法之一是在制备(BaR)TiO<sub>3</sub>煅烧粉末时，按如下方式称量，Bi/Na摩尔比为1.05至1.24使得Bi在Bi原料粉末中的量高于Na在Na原料粉末中的量，方法之二是在制备混合的煅烧粉末时，添加Bi原料粉末来调节Bi/Na的摩尔比为1.04至1.23，使得Bi/Na在烧结体中的摩尔比为1.02＜Bi/Na＜1.20。 | ||
| 申请公布号 | CN102482160B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201080039361.7 | 申请日期 | 2010.10.05 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 猪野健太郎;岛田武司;木田年纪 |
| 分类号 | H01C7/02(2006.01)I;C04B35/46(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人 | 陈波;林宇清 |
| 主权项 | 一种半导体陶瓷组合物，该组合物由如下通式表示[(Bi<sub>θ</sub>‑Na<sub>δ</sub>)<sub>x</sub>(Ba<sub>1‑y</sub>R<sub>y</sub>)<sub>1‑x</sub>]TiO<sub>3</sub>，其中，R是至少一种稀土元素，x、y、θ和δ分别满足0＜x≤0.3，0＜y≤0.02，0.46＜θ≤0.62，0.45≤δ≤0.60，Bi/Na在烧结体中的摩尔比为1.02＜Bi/Na≤1.20，并且在所述半导体陶瓷组合物的充电方向上于13V电压下每1mm厚度充电5000小时，所述半导体陶瓷组合物的电阻率随时间的变化为10％或更少。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||