发明名称 |
一种氘氚中子管氘离子束流成份的测量装置及其测量方法 |
摘要 |
本发明提供了一种氘氚中子管氘离子束流成份的测量装置及其测量方法。在氘氚中子管抽真空或密封前,在靶位置安装一适当厚度的铝膜,根据氘离子与金属离子在铝膜中的射程不同,在铝膜的厚度适当的情况下,重离子能够被完全阻止在铝膜内,氘离子则能够穿过铝膜。将穿过铝膜的氘离子束流除以总的离子束流(穿过的离子束流与阻止在铝膜中的离子束流之和),即可获得氘离子束流的成份。本发明的测量装置结构简单,操作容易,能够在中子管靶附近原位有效的测量氘离子束流成份,离子束不发散,测量方法准确性较高。本发明的设备材料简便,容易制备和购置,同时可以抑制二次电子对测量的影响。 |
申请公布号 |
CN103176202B |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201310124875.8 |
申请日期 |
2013.04.12 |
申请人 |
中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
发明人 |
周长庚;柯建林;邱瑞;安力;何铁;胡永宏 |
分类号 |
G01T1/29(2006.01)I |
主分类号 |
G01T1/29(2006.01)I |
代理机构 |
中国工程物理研究院专利中心 51210 |
代理人 |
翟长明;韩志英 |
主权项 |
一种氘氚中子管氘离子束流成份的测量装置,其特征在于,所述的测量装置包括铝膜(1)、铝片(2)、第一永磁铁(3)、第一电阻(4)、示波器(5)、第二永磁铁(6)和第二电阻(7);其连接关系是,在氚靶位置设置一个与氚靶面积相同的铝膜(1),与氚靶面积相同的铝片(2)置于铝膜(1)后部,第一永磁铁(3)、第二永磁铁(6)环绕设置于铝膜(1)的外围;铝膜(1)、铝片(2)分别与第一电阻(4)、第二电阻(7)的一端连接,第一电阻(4)、第二电阻(7)的另一端分别连接到电源的地线上,第一电阻(4)、第二电阻(7)的另一端还分别与示波器(5)的电压探针连接。 |
地址 |
621900 四川省绵阳市919信箱213分箱 |