一种氮化镓器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种氮化镓器件的制造方法，包括：首先，在氮化镓晶片上定义有源区；其次，在有源区上制备欧姆接触及栅金属插指；然后，在所述欧姆接触上制备源金属插指及漏金属插指；再制备栅、源、漏及背面电极，最后进行倒封装。本发明引入了器件单元和矩阵的概念，有效减小插指的长度和宽度，减少寄生效应；同时插指均处于一个方向，故可以尽量减少源、漏电极的宽度，以增大有源区的比例，而栅极及背面电极由于嵌入了源、漏电极的间隔中，对器件有源区面积的影响可以忽略不计，因此有效面积比例大大提高，进而增大了器件功率密度。此外，本发明倒装的封装方法也有利于灵活排布各电极互联金属、提高器件的散热性能。

主权项

一种高功率密度氮化镓器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：步骤一：提供氮化镓晶片，在所述氮化镓晶片的上表面定义有源区；步骤二：在所述有源区上制备相间分布的欧姆接触及栅金属插指，所述欧姆接触及所述栅金属插指平行设置；步骤三：在上述结构上形成带有矩形窗口的钝化层，所述矩形窗口用于露出所述欧姆接触；并在所述欧姆接触上制备相间分布的源金属插指及漏金属插指；步骤四：在所述钝化层上制备用于引出各所述源金属插指的源电极及用于引出各所述漏金属插指的漏电极，所述源电极及所述漏电极分别位于各所述源金属插指及各所述漏金属插指的两端；在所述源电极的两端制备栅电极，所述栅电极通过所述钝化层中的通孔与下层的各栅金属插指连接；制备背面电极，所述背面电极形成于所述氮化镓晶片的下表面且被引至所述氮化镓晶片上表面的漏电极的两端。