发明名称 | 研磨的硅烷化气相法二氧化硅 | ||
摘要 | 本发明涉及通过研磨由于硅烷化而在表面上固定有辛基甲硅烷基的气相法二氧化硅获得的疏水性气相法二氧化硅、其制备方法和含有这种二氧化硅的涂料制剂。 | ||
申请公布号 | CN101679774B | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
申请号 | CN200880017153.X | 申请日期 | 2008.05.06 |
申请人 | 赢创德固赛有限责任公司 | 发明人 | J·迈尔;A·戈巴斯柴克;G·米夏埃多;V·瓦尔特 |
分类号 | C09C1/30(2006.01)I | 主分类号 | C09C1/30(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 于辉 |
主权项 | 疏水性气相法二氧化硅,其是通过使用销棒粉碎机或空气喷射研磨机研磨由于硅烷化而在表面上固定有辛基甲硅烷基的、具有以下物理化学特征数据的气相法二氧化硅得到的:<img file="FDA0000522272570000011.GIF" wi="1101" he="471" />其中所得二氧化硅的刮板细度仪值比未研磨的二氧化硅低,为低于10μm,所得二氧化硅根据Cilas的平均粒径为5.0~20.0μm,所得二氧化硅的夯实密度为15~65g/l,所得二氧化硅的BET比表面积为130~170m<sup>2</sup>/g,所得二氧化硅的pH为5.0~6.0,所得二氧化硅在涂料制剂中导致光雾度值为15或更低,所述光雾度值是在20°入射角下使用反射计测量的。 | ||
地址 | 德国埃森 |