基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法

摘要

本发明公开了一种基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆回复原状。本发明具有如下优点：1)应变度高；2)热性能优良；3)成品率高；4)退火温度范围大；5)制作工艺简单；6)制作设备少且可自制。

主权项

一种基于AlN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法，其特征在于以成品的GeOI晶圆为原料，仅有机械弯曲与热退火两道工艺过程，只采用弯曲台和退火炉两台设备，包括以下步骤：1)GeOI晶圆顶层Ge层面向上或向下放置在弧形弯曲台上，其最小曲率半径与GeOI晶圆尺寸相关；2)两根圆柱形不锈钢压杆分别水平放置在GeOI晶圆两端，距GeOI晶圆边缘1cm；3)缓慢旋动连接压杆的螺帽，使GeOI晶圆沿弧形台面逐渐弯曲，直至GeOI晶圆完全与弧形台面贴合；4)载有GeOI晶圆的弧形弯曲台放置在退火炉中进行退火，退火温度介于300℃至900℃；5)退火结束后缓慢降温至室温，取出载有GeOI晶圆片的弧形弯曲台；6)旋动连接压杆的螺帽，将压杆缓慢提升，直至弯曲的GeOI晶圆回复原状。