半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件。在使用了自旋注入磁化反转的存储器中，沿着一条全局位线分离地配置多个写入驱动器，对一个全局位线设置一个读出放大器。在两个阵列和读出放大器享写入了“1”和“0”的参考单元。根据本发明，能够实现以小面积提供所需足够的写电流的阵列结构，实现符合TMR元件的温度特性的参考单元结构。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括第一存储器阵列、第二存储器阵列、全局位线以及读出放大器，其中，上述第一存储器阵列具有：多条第一字线；在与上述多条第一字线交叉的方向上布线的第一局部位线；配置在上述多条第一字线与上述第一局部位线的交点上的多个第一存储单元；以及与上述第一局部位线连接的第一位线驱动器，上述第二存储器阵列具有：多条第二字线；在与上述多条第二字线交叉的方向上布线的第二局部位线；配置在上述多条第二字线与上述第二局部位线的交点上的多个第二存储单元；以及与上述第二局部位线连接的第二位线驱动器，上述全局位线被通用设置在上述第一局部位线和上述第二局部位线上，上述读出放大器与上述全局位线连接，从上述多个第一存储单元和上述多个第二存储单元读出的信息通过上述全局位线而被输入至上述读出放大器，当向上述多个第一存储单元写入信息时，上述第一位线驱动器被激活，上述第二位线驱动器未被激活，当向上述多个第二存储单元写入信息时，上述第二位线驱动器被激活，上述第一位线驱动器未被激活，上述第一存储器阵列还具有：在与上述多条第一字线交叉的方向上布线的第一局部源极线；和与上述第一局部源极线相连接的第一源极线驱动器，上述多个第一存储单元配置在上述第一局部位线和上述第一局部源极线之间，要写入的信息根据流经上述第一局部位线与上述第一局部源极线之间的电流的流向而变化，上述第二存储器阵列还具有：第二局部源极线，在与上述多条第二字线交叉的方向上布线；和第二源极线驱动器，与上述第二局部源极线连接，上述多个第二存储单元配置在上述第二局部位线与上述第二局部源极线之间，要写入的信息根据流经上述第二局部位线与上述第二局部源极线之间的电流的流向而变化，上述第一位线驱动器在从上述多个第一存储单元之一读出信息时，其输出为高阻抗，在向上述多个第一存储单元之一写入信息时，将上述第一局部位线驱动为与要写入的信息对应的电位，上述第一源极线驱动器在从上述多个第一存储单元之一读出信息时，将上述第一局部源极线驱动为第一电位，在向上述多个第一存储单元之一写入信息时，将上述第一局部源极线驱动为与要写入的信息对应的电位，上述第二位线驱动器在从上述多个第二存储单元之一读出信息时，其输出为高阻抗，在向上述多个第二存储单元之一写入信息时，将上述第二局部位线驱动为与要写入的信息对应的电位，上述第二源极线驱动器在向上述多个第二存储单元之一写入信息时，将上述第二局部源极线驱动为与要写入的信息对应的电位。