发明名称 一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法
摘要 本发明公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法,在外延衬底上依次形成腐蚀截止层、粗化层、欧姆接触层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层;在第二型电流扩展层上蒸镀形成金属反射镜层;将金属反射层键合在基板上;去除外延衬底、腐蚀截止层,露出粗化层;在粗化层表面形成扩展电极图形的沟槽,沟槽深度至露出欧姆接触层;在沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极;在粗化层表面制作焊盘电极,且焊盘电极与扩展电极连接相通;在基板背面蒸镀背电极,去除焊盘电极、扩展电极的保护层,裂片后得到。本发明可以提高扩展电极的可靠性,且获得更好电流扩展效果,提高红外发光二极管的发光效率。
申请公布号 CN104201268A 申请公布日期 2014.12.10
申请号 CN201410433711.8 申请日期 2014.08.29
申请人 厦门乾照光电股份有限公司 发明人 林志伟;陈凯轩;张永;杨凯;蔡建九;白继锋;卓祥景;姜伟;刘碧霞
分类号 H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 代理人 廖吉保;唐绍烈
主权项 一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法,其特征在于,包括以下步骤:一,在外延衬底上自下而上依次形成腐蚀截止层、粗化层、欧姆接触层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层;二,在第二型电流扩展层上蒸镀金属反射镜,形成金属反射层;三,将金属反射镜的表面键合在具有导电性的基板上;四,采用湿法腐蚀分别去除外延衬底、腐蚀截止层,露出粗化层;五,采用掩膜、光刻工艺在粗化层上形成扩展电极的图形,采用湿法腐蚀去除粗化层的扩展电极的图形区域,在粗化层表面形成扩展电极图形的沟槽,沟槽深度至露出欧姆接触层;六,在沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极;七,采用掩膜、光刻、蒸镀工艺在粗化层表面制作焊盘电极,且焊盘电极与扩展电极连接相通;八,在扩展电极和焊盘电极区域形成保护层,去除粗化区域的保护层;九,采用粗化液蚀刻粗化层的显露区域的表面,形成表面粗化形貌;十,在基板背面蒸镀背电极,去除焊盘电极、扩展电极的保护层,裂片后得到具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管。
地址 361000 福建省厦门市火炬(翔安)产业区翔岳路19号