发明名称 |
导电结构和集成电路器件 |
摘要 |
本发明提供一种导电结构和集成电路器件。该导电结构包括延伸穿过衬底上的绝缘层的接触插塞,以及在该绝缘层上彼此并排延伸的第一导电线和第二导电线。该第一导电线延伸在该接触插塞上。在该绝缘层上的连接线延伸于该第一导电线和该第二导电线之间且电连接该第一导电线和该第二导电线。还公开了相关的集成电路器件和制造方法。 |
申请公布号 |
CN102082138B |
申请公布日期 |
2014.12.10 |
申请号 |
CN201010529467.7 |
申请日期 |
2010.10.29 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
权炳昊;尹普彦 |
分类号 |
H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种导电结构,包括:接触插塞,延伸穿过衬底上的绝缘层;第一导电线和第二导电线,在该绝缘层上基本彼此平行地延伸,其中该第一导电线延伸在该接触插塞上,且其中该第二导电线的宽度小于该第二导电线的高度的两倍;以及连接线,在该绝缘层上,延伸于该第一导电线和该第二导电线之间且电连接该第一导电线和该第二导电线,其中该第一导电线和该第二导电线沿第一方向基本彼此平行地延伸,该连接线沿基本垂直于该第一方向的第二方向延伸,该连接线的沿该第一方向的宽度小于或等于该第二导电线的沿该第二方向的宽度。 |
地址 |
韩国京畿道 |