| 发明名称 | 具有交替导电类型的区域的用于静电放电保护的半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种保护装置至少包括耦接在第一节点(1201)和第二节点(1202)之间的NPN晶体管(1203)和PNP晶体管(1204)，以便响应于静电放电(ESD)事件从第一节点到第二节点沉降电流。所述晶体管可以被耦接为使得NPN晶体管的N集电极(1222)被耦接到第一节点，NPN晶体管的P基极(1244)耦接到PNP晶体管的P发射极(1224)，NPN晶体管的N发射极(1225)被耦接到PNP晶体管的N基极(1225)，并且PNP晶体管的P集电极(1223)被耦接到第二节点，从而可以实现具有NPNP结构的装置。 | ||
| 申请公布号 | CN104205345A | 申请公布日期 | 2014.12.10 |
| 申请号 | CN201380018873.9 | 申请日期 | 2013.02.06 |
| 申请人 | 索菲克斯公司 | 发明人 | B·索尔格洛斯;B·范坎普;S·范韦梅尔斯;W·梵郝特格姆 |
| 分类号 | H01L29/87(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/87(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 一种静电放电(ESD)保护装置，其耦接在第一节点和第二节点之间，所述ESD保护装置包括：P掺杂类型的第一低掺杂区；在第一低掺杂区内形成的N掺杂类型的第二低掺杂区；在第一低掺杂区内形成的并且耦接到第一节点的N掺杂类型的第一高掺杂区；以及在第二低掺杂区内形成的并且耦接到第二节点的P掺杂类型的第二高掺杂区；以及其中，该ESD保护装置被配置为响应于ESD事件从第一节点到第二节点沉降电流。 | ||
| 地址 | 比利时希斯特尔 | ||