二极管以及包括该二极管的组件

摘要

本发明涉及二极管以及包括该二极管的组件，平面肖特基二极管，其半导体材料包括异质结，其至少在一个半导体层中产生2DEG。金属阳极接触位于上半导体层的顶部上，并且与该半导体层形成肖特基接触。金属阴极接触连接到2DEG，与包含2DEG的层形成欧姆接触。

主权项

一种二极管，包括：第一Ⅲ‑N材料层；第二Ⅲ‑N材料层，位于所述第一Ⅲ‑N材料层上，所述第二Ⅲ‑N材料层与所述第一Ⅲ‑N层成分不同，其中所述第一Ⅲ‑N材料和所述第二Ⅲ‑N材料是Ⅲ‑N堆的一部分，并且由于所述第一Ⅲ‑N材料层和所述第二Ⅲ‑N材料层之间的成分差异，2DEG沟道位于所述第二Ⅲ‑N材料层中邻近所述第一Ⅲ‑N材料层；和第一端子和第二端子，其中：所述第一Ⅲ‑N材料和所述第二Ⅲ‑N材料是N极或氮终止的半极性材料；所述第一端子是包括与所述Ⅲ‑N堆的N面的肖特基接触的阳极，并且所述第二端子是与所述2DEG沟道欧姆接触的单一阴极。