低Ｋ及びその他の誘電体膜をエッチングするための処理チャンバ

摘要

低ｋ及び他の誘電体膜のエッチングのための方法及び処理チャンバが記載される。例えば、この方法は、プラズマ処理によって低ｋ誘電体層の部分を改質する工程を含む。低ｋ誘電体層の改質された部分は、マスク層及び低ｋ誘電体層の未改質部分の上で選択的にエッチングされる。異なるプラズマを交互に生成するための複数のチャンバ領域を有するエッチングチャンバが記載される。実施形態では、第１電荷結合プラズマ源が、ある動作モードにおいてワークピースへイオン束を生成するために設けられ、一方、二次プラズマ源が、別の動作モードにおいてワークピースに顕著なイオン束なしで反応種束を提供するために設けられる。コントローラは、誘電体材料の所望の累積量を除去するために時間をかけて動作モードを繰り返し循環するように操作する。