发明名称 Hybrydowy element optoelektroniczny wykazujący efekt pamięci krótkotrwałej
摘要 Hybrydowy element optoelektroniczny wykazujący efekt pamięci krótkotrwałej charakteryzuje się tym, że składa się z dwóch warstw podłożowych przewodzących (1 i 2) transparentnych optycznie, usytuowanych zasadniczo równolegle względem siebie w pewnej odległości, w położeniu, w którym ich powierzchnie przewodzące zwrócone są do siebie. Pomiędzy nimi usytuowane są co najmniej dwie warstwy: materiału kompozytowego (3, 6) i elektrolitu (4), przy czym do co najmniej jednej z warstw podłożowych przewodzących (1, 2) przylega warstwa materiału kompozytowego (3, 6), stanowiącego nanokrystaliczny półprzewodnik szerokopasmowy z dodatkiem organicznych związków donorowo-akceptorowych, na której usytuowana jest warstwa elektrolitu (4), w skład której wchodzi ciecz jonowa, związki zwiększające lepkość oraz mediator redoksowy. Pomiędzy warstwami materiału kompozytowego (3, 6) i elektrolitu (4) umieszczona jest warstwa polimeru jonowymiennego (5).
申请公布号 PL404078(A1) 申请公布日期 2014.12.08
申请号 PL20130404078 申请日期 2013.05.27
申请人 AKADEMIA GÓRNICZO-HUTNICZA IM. STANIS&Lstrok,AWA STASZICA W KRAKOWIE 发明人 SZACI&Lstrok,OWSKI KONRAD;PODBORSKA AGNIESZKA;LIS MARIA;PILARCZYK KACPER
分类号 H01L21/00;G11B7/00;G11B7/24;G11B9/00;G11C7/00;G11C13/04;H01L27/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
地址