NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

摘要

여기에 제공되는 불 휘발성 반도체 메모리 장치는 비트 라인들과; 상기 비트 라인들에 각각 대응하며, 각각이 대응하는 비트 라인과 동일한 방향으로 배열된 소오스 라인들과; 그리고 상기 비트 라인들과 상기 소오스 라인들 사이에 수직하게 각각 형성된 스트링들을 포함하는 수직 어레이를 구비한다.