Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Halbleiterbauelement aufweisend–eine erste Elektrode (7) und–eine zweite Elektrode (8), die auf Oberflächen eines Halbleiterkörpers (10) angeordnet sind,–eine isolierte Gateelektrode (9) und–einen Kontaktloch auf dem Halbleiterkörper (10) in einer Zwischenoxidschicht (12) für die erste Elektrode (7), wobei der Halbleiterkörper (10)–in Randbereichen (13) von Sourceanschlusszonen (11) hochdotierte Zonen (14) eines ersten Leitungstyps aufweist, die sich bis zu einem Kanalbereich einer Bodyzone (16) erstrecken,–hochdotierte Bereiche (15) außerhalb des Kanalbereichs der Bodyzone (16) mit komplementärem Leitungstyp unterhalb der hochdotierten Zonen (14) des ersten Leitungstyps aufweist und–in Mittenbereichen (17) der Sourceanschlusszonen (11) eine netto Dotierstoffkonzentration der Bodyzone (16) mit komplementärem Leitungstyp aufweist, die geringer ist als die Dotierstoffkonzentration in den hochdotierten Bereichen (15) in den Randbereichen (13) der Sourceanschlusszonen (11), und wobei die hochdotierten Bereiche (15) und die gering dotierten Bereiche des komplementären Leitungstyps mit einer im Rückseitenbereich des Halbleiterkörpers (10) angeordneten hochdotierten Emitterzone (30) des ersten Leitungstyps eine monolithisch integrierte Freilaufdiode des Halbleiterbauelements (1) zwischen erster und zweiter Elektrode (7, 8) bilden und wobei eine Teilkompensation der Ladungsträger im Mittenbereich (17) der Sourceanschlusszone (11) unterschiedliche Dotierstoffkonzentrationen der Bodyzone (16) zwischen den Randbereichen (13) und dem Mittenbereich (17) der Sourceanschlusszone (11) bereitstellt.