发明名称 |
一种阵列天线辐射场和散射场综合低副瓣快速实现方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列天线辐射场和散射场综合低副瓣快速实现方法,包括:1)确定阵列天线结构参数、电磁工作参数,以及阵面布局参数;2)确定阵列天线初始的稀疏排布方案,得到阵列天线单元稀疏排布矩阵;3)计算阵列天线的辐射场和散射场口面相位差;4)计算阵列天线的辐射方向图函数,并计算此稀疏排布方案下阵列天线辐射场的最大副瓣电平;5)计算阵列天线的散射方向图函数,并计算此稀疏排布方案下阵列天线散射场的最大副瓣电平;6)判断此阵列天线稀疏排布方案下的辐射场和散射场是否同时满足低副瓣要求,直至得到同时实现阵列天线辐射场和散射场低副瓣要求的最优稀疏排布方案。此方法可同时实现阵列天线辐射场和散射场的低副瓣性能。 |
申请公布号 |
CN104182636A |
申请公布日期 |
2014.12.03 |
申请号 |
CN201410419309.4 |
申请日期 |
2014.08.22 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
王从思;王伟锋;薛敏;康明魁;王艳;王猛;段宝岩;黄进;王伟;宋立伟 |
分类号 |
G06F19/00(2011.01)I;H01Q21/00(2006.01)I |
主分类号 |
G06F19/00(2011.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
徐文权 |
主权项 |
一种阵列天线辐射场和散射场综合低副瓣快速实现方法,其特征在于,包括如下过程:(1)根据平面等间距矩形栅格阵列天线的结构形式,确定阵列天线结构参数、电磁工作参数,以及阵面布局参数;(2)根据阵列天线结构参数和阵面布局参数,给出阵列天线初始的稀疏排布方案,得到阵列天线单元稀疏排布矩阵;(3)根据阵列天线的结构参数和电磁工作参数,利用阵列天线单元排布参数,计算阵列天线的辐射场和散射场口面相位差;(4)结合阵列天线辐射场口面相位差,以及阵列天线单元稀疏排布矩阵,计算阵列天线的辐射方向图函数,并根据阵列天线辐射方向图函数计算此稀疏排布方案下阵列天线辐射场的最大副瓣电平;(5)结合阵列天线散射场口面相位差,以及阵列天线单元稀疏排布矩阵,计算阵列天线的散射方向图函数,并根据阵列天线散射方向图函数计算此稀疏排布方案下阵列天线散射场的最大副瓣电平;(6)根据阵列天线设计指标,判断此阵列天线稀疏排布方案下的辐射场和散射场是否同时满足低副瓣要求;若满足,则此阵列天线稀疏排布方案即为同时实现阵列天线辐射场和散射场低副瓣的最优稀疏排布方案;否则,根据前一次辐射场和散射场最大副瓣电平值,通过交叉和变异的方法更新阵列天线单元稀疏排布矩阵,并重复步骤(3)至步骤(6)直至满足要求。 |
地址 |
710071 陕西省西安市太白南路2号 |