沟槽型肖特基二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型肖特基二极管的制备方法，包括：1）在硅片上刻蚀形成沟槽，在沟槽内壁进行第一氧化硅生长后，在沟槽内填充多晶硅，再将沟槽外的多晶硅进行完全刻蚀去除，在硅片上沉积介质膜；2）通过接触孔光刻定义接触区域，利用刻蚀将接触区域的介质膜先刻蚀至硅表面后，将硅和沟槽内的第一氧化硅一同刻蚀；3）在硅片上成长第二氧化硅；4）将第二氧化硅刻蚀去除；5）在硅片上沉积第一金属，并在硅表面和多晶硅表面形成金属硅化物，从而形成肖特基接触；6）在硅片上沉积第二金属，通过光刻、刻蚀，第二金属与第一金属直接接触连接。本发明可改善沟槽型肖特基二极管接触孔形成工艺，防止沟槽电介质膜遭到破坏，提高产品可靠性。

主权项

一种沟槽型肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：1）首先在硅片上利用干法刻蚀形成沟槽，随后在沟槽内壁进行第一氧化硅生长后，在沟槽内填充多晶硅，将沟槽完全填满，再利用干法刻蚀将沟槽外的多晶硅进行完全刻蚀去除，仅保留沟槽内的多晶硅，最后，在硅片上沉积一层介质膜；2）通过接触孔光刻定义接触区域，利用干法或者湿法刻蚀将接触区域的介质膜先刻蚀至硅表面后，利用干法刻蚀将硅和沟槽内的第一氧化硅一同刻蚀；3）在硅片上成长一层第二氧化硅；4）将第二氧化硅刻蚀去除；5）在硅片上沉积一层第一金属，并利用标准金属硅化物形成工艺在硅表面和多晶硅表面形成金属硅化物，从而形成肖特基接触；6）在硅片上沉积第二金属，通过光刻、刻蚀，第二金属与第一金属直接接触连接。