| 发明名称 | 包括空气间隔的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种包括空气间隔的半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上依次形成第一介质层和第二介质层；在第二介质层上形成掩模层；以所述掩模层为掩模图形化所述第一介质层和第二介质层，形成通孔；向所述通孔中填充导电材料；去除第二介质层上多余的导电材料，直至露出第二介质层，形成导电插塞；在第二介质层和导电插塞上形成分子筛；透过所述分子筛向第二介质层通入反应气体，部分去除或完全去除所述第二介质层，形成空气间隔。本发明借由分子筛形成空气间隔，较为新颖和简单。 | ||
| 申请公布号 | CN102760687B | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201110109621.X | 申请日期 | 2011.04.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凡;洪中山 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种包括空气间隔的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在衬底上依次形成第一介质层和第二介质层，所述第二介质层的材料包括无定形碳或类金刚石碳； 在第二介质层上形成掩模层； 以所述掩模层为掩模图形化所述第一介质层和第二介质层，形成通孔； 向所述通孔中填充导电材料； 去除第二介质层上多余的导电材料，直至露出第二介质层，形成导电插塞； 在第二介质层和导电插塞上形成分子筛； 透过所述分子筛向第二介质层通入氧气等离子体，通过所述氧气等离子体使所述无定形碳或类金刚石碳灰化形成二氧化碳，以部分去除或完全去除导电插塞之间的所述第二介质层，在导电插塞之间的原第二介质层位置处形成空气间隔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||