发明名称 |
一种高功率半导体激光器系统及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供了一种高功率半导体激光器系统及其制备方法,以提高半导体激光器的可靠性,从而延长其使用寿命。该高功率半导体激光器系统,包括半导体激光器芯片,半导体激光器芯片封装后连接正极和负极,所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源连接。本发明所用的反馈电路结构简单,能够降低半导体激光器整体成本;能够大大提高半导体激光器的工作寿命,避免了不必要的损失。 |
申请公布号 |
CN104184044A |
申请公布日期 |
2014.12.03 |
申请号 |
CN201410412518.6 |
申请日期 |
2014.08.20 |
申请人 |
中国科学院西安光学精密机械研究所 |
发明人 |
张普;刘兴胜;熊玲玲;王贞福;聂志强 |
分类号 |
H01S5/042(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/042(2006.01)I |
代理机构 |
西安智邦专利商标代理有限公司 61211 |
代理人 |
杨引雪 |
主权项 |
一种高功率半导体激光器系统,包括半导体激光器芯片,半导体激光器芯片封装后连接正极和负极,其特征在于:所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源并联;所述电流/电压监测装置用于检测半导体激光器芯片两端的实际电流/电压,电源用于向半导体激光器芯片供电;所述反馈电路用于在设定的时间范围内控制电源暂停或开启。 |
地址 |
710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号 |