| 发明名称 | 一种像素单元、阵列基板、显示装置和像素驱动方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种像素单元，包括：像素电极、栅极、与栅极相连的栅极线、源极、与源极相连的数据线；还包括：与所述像素电极同层设置的第二电极、与所述像素电极相连的第一漏极以及与所述第二电极相连的第二漏极；所述第一漏极、所述第二漏极与所述源极之间设有沟道，且所述第一漏极与所述第二漏极不接触；其中，沿所述数据线的方向，所述第二电极的边缘平行于所述像素电极的边缘，且两者不接触。本发明还同时公开了一种阵列基板、像素驱动方法和显示装置，本发明可克服现有因减小黑矩阵宽度导致的像素单元边缘漏光的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN104181738A | 申请公布日期 | 2014.12.03 |
| 申请号 | CN201310204245.1 | 申请日期 | 2013.05.28 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 王振伟;于尧;唐磊;李鑫;任键;王静;张莹;裴扬 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 王黎延;张振伟 |
| 主权项 | 一种像素单元，包括：像素电极、栅极、与栅极相连的栅极线、源极、与源极相连的数据线；其特征在于，所述像素单元还包括：与所述像素电极同层设置的第二电极、与所述像素电极相连的第一漏极以及与所述第二电极相连的第二漏极；所述第一漏极、所述第二漏极与所述源极之间设有沟道，且所述第一漏极与所述第二漏极不接触；其中，沿所述数据线的方向，所述第二电极的边缘平行于所述像素电极的边缘，且两者不接触。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 | ||