单晶硅片的COP评价方法

摘要

将作为评价对象的晶片的评价区域沿半径方向以同心圆状分割，设定各分割而成的评价区域的COP个数的上限值，以该上限值为基准进行单晶硅片的合格与否的判定，从而能定量并客观地评价COP，能在明确的基准下给予正确的判定。通过使用该评价方法，能充分适应COP评价(检检测)的自动化、未来晶片的高品质化，能在单晶硅片的制造、半导体器件的制造中得到广泛应用。

主权项

一种单晶硅片的COP评价方法，其特征在于，对经铜析出法处理后的晶片进行COP评价，在将被判定为不是结晶育成时引入的COP的图案的所述COP排除而对结晶育成时引入的COP进行评价时，将所述晶片的评价区域沿半径方向以同心圆状分割，对分割而成的各评价区域设定COP个数的上限值，以该COP上限值为基准来进行合格与否的判定，所述铜析出法处理按以下的步骤(i)～(iii)来进行，(i)洗涤晶片，除去外部污染源，(ii)进行热氧化而在晶片表面形成规定厚度的绝缘膜，为了确保晶片下部与下部板间的电接触，通过侵蚀将晶片下部的绝缘膜的一部分剥离，(iii)进行Cu析出处理。