发明名称 |
氧化物烧结体及溅射靶 |
摘要 |
本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体,在对氧化物烧结体进行X射线衍射时,以Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>相为主相,具有在ZnSnO<sub>3</sub>中固溶有In和/或In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的In/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-ZnSnO<sub>3</sub>固溶体,且未检测到Zn<sub>x</sub>In<sub>y</sub>O<sub>z</sub>相(x、y、z为任意的正整数)。根据本发明,能够提供一种适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体,所述氧化物烧结体兼具高导电性和高相对密度,能够使具有高载流子迁移率的氧化物半导体膜成膜。 |
申请公布号 |
CN103201232B |
申请公布日期 |
2014.12.03 |
申请号 |
CN201180054499.9 |
申请日期 |
2011.11.11 |
申请人 |
株式会社钢臂功科研 |
发明人 |
后藤裕史;岩崎祐纪;得平雅也;米田阳一郎 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C04B35/453(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C04B35/457(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
张玉玲 |
主权项 |
一种氧化物烧结体,其特征在于,其是将氧化锌、氧化锡和氧化铟的各粉末混合并烧结而得到的氧化物烧结体,在对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时,以Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>相为主相,具有在ZnSnO<sub>3</sub>中固溶有In和/或In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>的In/In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SnO<sub>3</sub>固溶体,且未检测到ZnxIn<sub>y</sub>Oz相,其中,x、y、z为任意的正整数,其中,在将所述氧化物烧结体所含有的金属元素的含量以原子%计分别设为[Zn]、[Sn]、[In]时,[In]相对于[Zn]+[Sn]+[In]的比、[Zn]相对于[Zn]+[Sn]的比、[Sn]相对于[Zn]+[Sn]的比分别满足下式:[In]/([Zn]+[Sn]+[In])=0.01~0.30[Zn]/([Zn]+[Sn])=0.50~0.75[Sn]/([Zn]+[Sn])=0.25~0.50。 |
地址 |
日本国兵库县 |