Etching-free graphene growth method using oxidizable metal

摘要

본 발명에 따른 산화 반응성 금속을 이용한 에칭 프리 그래핀 성장 방법은 산화물 기판 상에 산화 반응성 금속층을 형성한 제1구조체를 준비하는 단계와, 상기 제1구조체를 탄소가 포함된 기체에 노출시키면서 열처리하여 그래핀을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.