| 发明名称 |
用于氮化锰整合之方法;METHODS FOR MANGANESE NITRIDE INTEGRATION |
| 摘要 |
兹描述形成半导体装置的方法。某些方法包含沉积包含氮化锰的薄膜至介电质上；沉积铜晶种层至薄膜上；及沉积铜填充层至铜晶种层上。尚描述半导体装置。某些半导体装置包含低k介电质；氮化锰层，位于低k介电质上；晶种层，选自铜晶种层或电化学沉积晶种层，且位于氮化锰层上；铜层，位于铜晶种层上。 |
| 申请公布号 |
TW201445002 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW103116581 |
申请日期 |
2014.05.09 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
马伯方;萧萌区;张镁;雷克须玛南安娜玛莱;汤静 |
| 分类号 |
C23C16/34(2006.01);C23C16/455(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L23/535(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L21/02(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
