| 主权项 |
一种半导体装置之制造方法，系具备：于第1导电型之半导体基板之上面形成复数个沟槽的工程；于上述沟槽之内面上形成闸极绝缘膜的工程；于上述沟槽内之下部将闸极电极予以予以填埋的工程；于上述沟槽内之上部将绝缘构件予以填埋的工程；藉由除去上述半导体基板之上层部，而使上述绝缘构件由上述半导体基板之上面突出的工程；于上述半导体基板导入杂质，而于上述半导体基板中之较上述闸极电极之下端更上方之部分，形成第2导电型之基底层的工程；以覆盖上述突出绝缘构件的方式，形成遮罩膜的工程；藉由对上述基底层导入杂质，而于上述基底层之上层部、在下面成为比起上述闸极电极之上端更下方之部分，形成第1导电型之第1半导体层的工程；以形成于上述遮罩膜中之上述绝缘构件之侧面上的部分作为遮罩，藉由对上述半导体基板植入杂质，而于上述基底层之一部分及上述第1半导体层之一部分，形成有效杂质浓度较上述基底层之有效杂质浓度高的第2导电型之载子排出层的工程；以和上述半导体基板之上面呈连接的方式形成第1电极的工程；及以和上述半导体基板之下面呈连接的方式形成第2电极的工程。 |
