发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND FILM USED THEREIN FOR PROTECTING SURFACE OF SEMICONDUCTOR
摘要 <p>딱딱하고 취성인 반도체 웨이퍼이어도, 파손시키지 않고 이면 연삭을 가능하게 할 수 있는 반도체 웨이퍼 표면 보호용 필름을 제공한다. 구체적으로 본 발명은, 150℃에서의 저장 탄성률 G(150)이 1MPa 이상인 기재층(A)과, 120∼180℃ 중 어느 하나의 온도에서의 저장 탄성률 G(120∼180)이 0.05MPa 이하이며, 또한 40℃에서의 저장 탄성률 G(40)이 10MPa 이상인 연화층(B)을 포함하는, 반도체 웨이퍼 표면 보호용 필름을 제공한다.</p>
申请公布号 KR101467718(B1) 申请公布日期 2014.12.01
申请号 KR20137015128 申请日期 2012.08.09
申请人 发明人
分类号 C09J7/02;C09J11/06;H01L21/304 主分类号 C09J7/02
代理机构 代理人
主权项
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