制造半导体薄膜之堆叠的方法

摘要

本发明揭露一种制造类超薄埋入式氧化物(UTBOX)之堆叠半导体结构之方法，其方法包含：于一第一基板(施体基板)上形成一第一电绝缘层，再将元素穿过绝缘层导入施体基板中，并于一第二基板(受体基板)上形成一第二电绝缘层，接着接合二块基板，二电绝缘层系限制水之扩散，且于二块基板之间形成一埋入式绝缘层(其厚度小于50奈米)，在接合期间，施体氧化层具有一至少等于接合氧化层之厚度的厚度。

主权项

一种制造类超薄埋入式氧化物(UTBOX)之堆叠半导体结构之方法，包含：形成一施体氧化层于一施体基板上，以对水之扩散形成一障壁或可限制此扩散；在形成该施体氧化层后，将元素导入该施体基板，形成一弱化层；形成一接合氧化层于一最终基板上，以对水之扩散形成一障壁或可限制此扩散，该接合氧化层系薄于该施体氧化层；以及接合该二基板，其均没有接受一电浆处理，该二氧化层系相接触，以及一起于该二基板之间形成一埋入氧化层，在接合期间，该氧化层系使得该施体氧化层具有至少等于该接合氧化层之厚度的一厚度，该埋入氧化层之厚度系小于50nm；其中在该施体氧化层之接合期间，该相对厚度系介于该埋入氧化层之厚度的60%至85%之间。