半导体装置之制造方法

摘要

提供一种制造方法，系于使用绝缘性树脂黏着膜(NCF)对半导体晶片与基板进行覆晶构装之半导体装置之制造方法中，于热压时，可防止NCF之溢出、及凸块与电极垫存在着绝缘性树脂或无机填料，所得之半导体装置具有充分之耐吸湿回焊性。具体而言，系将NCF预黏着于与凸块对应之基板之复数个电极所围成的区域，而其中该NCF具有相当于半导体晶片其周围配置之复数个凸块所围成之区域面积的60～100%之大小、以及2×102～1×105Pas之最低熔融黏度。接着，以使该凸块与对应于该凸块之电极相对向的方式，来进行半导体晶片与基板之对位，然后从半导体晶片侧进行热压。藉此，对凸块与电极进行金属接合，使NCF熔融，并进一步使之热硬化。藉此以得到半导体装置。

主权项

一种半导体装置之制造方法，系透过绝缘性树脂黏着膜将具有周围配置之复数个凸块的半导体晶片覆晶构装于具有与该凸块对应之复数个电极的基板，藉此制造半导体装置，其特征在于：将绝缘性树脂黏着膜预黏着于与该凸块对应之基板之复数个电极所围成的区域，以使该凸块与对应于该凸块之电极相对向的方式，来进行半导体晶片与基板之对位，藉由从半导体晶片侧进行热压，对凸块与电极进行金属接合，使绝缘性树脂黏着膜熔融，并进一步使之热硬化，而其中该绝缘性树脂黏着膜，具有相当于半导体晶片其周围配置之复数个凸块所围成之区域面积的60~100%之大小、与2×102~1×105Pa．s之最低熔融黏度。