| 发明名称 |
单晶矽提拉用二氧化矽容器及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明是一种单晶矽提拉用二氧化矽容器，具有直筒部、弯曲部及底部，该单晶矽提拉用二氧化矽容器的特征在于：前述直筒部的OH基浓度为30~300 massppm，前述底部的OH基浓度为30 massppm以下，前述直筒部与前述底部的OH基浓度差为30 massppm以上。;藉此，提供一种低成本的单晶矽提拉用二氧化矽容器，可减少提拉后的单晶矽中被称为孔隙或针孔之空洞缺陷。 |
| 申请公布号 |
TWI463045 |
申请公布日期 |
2014.12.01 |
| 申请号 |
TW101144176 |
申请日期 |
2012.11.26 |
| 申请人 |
信越石英股份有限公司 日本 |
发明人 |
山形茂 |
| 分类号 |
C30B15/10;C03B20/00 |
主分类号 |
C30B15/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种单晶矽提拉用二氧化矽容器，具有直筒部、弯曲部及底部，其特征在于：前述直筒部的OH基浓度为30~300 massppm，前述底部的OH基浓度为30 massppm以下，前述直筒部与前述底部的OH基浓度差为30 massppm以上。 |
| 地址 |
日本 |
