摘要 |
本发明提供一半导体结构,其包含位于不同区域之一内连接结构以及一熔丝结构,但在相同之内连接层级里面。该内连接结构具有高电迁移阻抗,然而该熔丝结构具有一较该内连接结构低之电迁移阻抗。上述熔丝结构包含一导电材料,其中该导电材料系嵌入一内连接介电质中,且该导电材料之上方表面内具有高浓度之氧。一介电质帽盖层系位于该介电质材料与该导电材料之顶部上。该导电材料与该介电质帽盖层间之介面存在着表面氧化物层会降低该导电材料与该介电质帽盖层间之黏着性。结果,当电流供应至该熔丝结构时,导电材料之电迁移便会发生,且超过时间时,导电材料里会形成一开口,而烧断该熔丝元件。 |