半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括提供半导体基底，具有第一导电类型；于半导体基底上形成磊晶层，具有第一导电类型；于磊晶层中形成复数个第一沟槽；于第一沟槽的侧壁和底面上形成复数个第一绝缘衬垫层；将具有第一导电类型的第一掺质沿第一沟槽的侧壁掺杂磊晶层，以形成复数个第一掺杂区；将第一绝缘材料填入第一沟槽；于上述磊晶层中形成复数个第二沟槽；于第二沟槽的侧壁和底面上形成复数个第二绝缘衬垫层；将具有第二导电类型的第二掺质沿第二沟槽的侧壁掺杂磊晶层，以形成复数个第二掺杂区；将第二绝缘材料填入第二沟槽。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，具有一第一导电类型；于该半导体基底上形成一磊晶层，具有该第一导电类型；于该磊晶层中形成复数个第一沟槽；顺应性于该些第一沟槽的侧壁和底面上形成复数个第一绝缘衬垫层；进行一第一掺杂制程，将具有该第一导电类型的一第一掺质沿该些第一沟槽的该些侧壁掺杂该磊晶层，以形成复数个第一掺杂区，其中该些第一沟槽的该些底面系位于该些第一掺杂区内；将一第一绝缘材料填入该些第一沟槽；于该磊晶层中形成复数个第二沟槽；顺应性于该些第二沟槽的侧壁和底面上形成复数个第二绝缘衬垫层；进行一第二掺杂制程，将具有一第二导电类型的一第二掺质沿该些第二沟槽的该些侧壁掺杂该磊晶层，以形成复数个第二掺杂区；以及将一第二绝缘材料填入该些第二沟槽。