发明名称 酞菁纳米尺寸结构物、和使用该纳米尺寸结构物的电子元件
摘要 本发明试图提供能够利用低成本的湿法制造电子元件的有机半导体材料。进而,课题在于提供不易破坏、轻量、廉价、且高特性的有机半导体电子元件。发现根据本发明,通过优化构成酞菁纳米尺寸结构体的酞菁衍生物,可以提供性能得到提高的适合于湿法的有机半导体材料,从而完成了本发明。进而,通过将该有机半导体材料用于电子元件活性部(半导体层),从而可以提供富于耐久性、且不易破坏、轻量、廉价、且高特性的电子元件。
申请公布号 CN104169285A 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201380013022.5 申请日期 2013.04.04
申请人 DIC株式会社 发明人 饵取秀树;村田秀之;稻垣翔;E·迈克尔
分类号 C07D487/22(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;C09B47/20(2006.01)I;C09D11/037(2014.01)I;C09D11/32(2014.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I 主分类号 C07D487/22(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种酞菁纳米尺寸结构物,其为含有未取代酞菁和具有取代基的酞菁的纳米尺寸结构物,结构物的形状具有长径和短径,且其短径为500nm以下,未取代酞菁如通式(1)或(2)所示,<img file="FDA0000566571520000011.GIF" wi="1316" he="618" />其中,式(1)中,X为选自由铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、铁原子、钯原子、钙原子、GeO、TiO、VO和AlCl组成的组中的任意者,具有取代基的酞菁如通式(3)或(4)所示,<img file="FDA0000566571520000012.GIF" wi="1375" he="587" />其中,式(3)中,X为选自由铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、铁原子、钯原子、钙原子、GeO、TiO、VO和AlCl组成的组中的任意者,位于酞菁骨架的苯环上的各氢原子可以被氟、氯、溴所取代,Z<sub>1</sub>~Z<sub>8</sub>分别独立地为氢原子、可以具有取代基的碳数1~30的非环状烃基、可以具有取代基的碳数1~30的环状烃基、可以具有取代基的杂芳基,a、b、c、和d各自独立地表示0~4的整数、但至少1者不为0,不包括Z<sub>1</sub>~Z<sub>8</sub>为通式(5)、或(6)的情况、和均为氢原子的情况,<img file="FDA0000566571520000021.GIF" wi="1141" he="220" />式(5)中,q为4~100的整数,Q各自独立地为氢原子或甲基,Q’为碳数1~30的非环状烃基,<img file="FDA0000566571520000022.GIF" wi="861" he="226" />式(6)中,m为1~20的整数,R和R’各自独立地为碳数1~20的烷基。
地址 日本东京都