| 发明名称 | 磁记录介质用溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种磁记录介质用溅射靶，其特征在于，富B相的平均颗粒面积为90μm<sup>2</sup>以下。一种磁记录介质用溅射靶的制造方法，其特征在于，对合金铸锭进行热处理后，进行至少包含一次以上冷轧的一次轧制，然后进行二次轧制，并对其进行机械加工从而制作靶。本发明得到了在磁记录介质用溅射靶中富B相的破裂少且漏磁通密度高的靶，由此解决如下课题：使溅射时的放电稳定，抑制以富B相的破裂为起点的电弧放电，从而抑制粉粒产生。 | ||
| 申请公布号 | CN104170015A | 申请公布日期 | 2014.11.26 |
| 申请号 | CN201380013280.3 | 申请日期 | 2013.03.01 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 荻野真一;中村祐一郎 |
| 分类号 | G11B5/851(2006.01)I;B21B3/00(2006.01)I;C22C19/07(2006.01)I;C22F1/10(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C22F1/00(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/851(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种磁记录介质用溅射靶，其特征在于，富B相的平均颗粒面积为90μm<sup>2</sup>以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||