发明名称 读出放大器
摘要 本发明公开一种读出放大器,其包括:第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、以及第四NMOS晶体管。第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、以及第二NMOS晶体管形成交叉耦合读出对。第三PMOS和第四PMOS晶体管用作补偿晶体管。第三NMOS和第四NMOS晶体管用作读出使能晶体管。
申请公布号 CN102646444B 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201110249282.5 申请日期 2011.08.26
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 谢尔吉·罗曼诺夫斯基;穆罕默德·努莫
分类号 G11C11/4091(2006.01)I 主分类号 G11C11/4091(2006.01)I
代理机构 北京德恒律师事务所 11306 代理人 陆鑫;高雪琴
主权项 一种读出放大器,包括:第一PMOS晶体管,具有第一PMOS漏极、第一PMOS源极、以及第一PMOS栅极;第二PMOS晶体管,具有第二PMOS漏极、第二PMOS源极、以及第二PMOS栅极;第三PMOS晶体管,具有第三PMOS漏极、第三PMOS源极、以及第三PMOS栅极;第四PMOS晶体管,具有第四PMOS漏极、第四PMOS源极、以及第四PMOS栅极;第一NMOS晶体管,具有第一NMOS漏极、第一NMOS源极、以及第一NMOS栅极;第二NMOS晶体管,具有第二NMOS漏极、第二NMOS源极、以及第二NMOS栅极;第三NMOS晶体管,具有第三NMOS漏极、第三NMOS源极、以及第三NMOS栅极;第四NMOS晶体管,具有第四NMOS漏极、第四NMOS源极、以及第四NMOS栅极;控制信号线;第一电源电压节点;第二电源电压节点;第一数据线;以及第二数据线;其中所述第一PMOS源极、所述第二PMOS源极、以及所述第二电源电压节点连接在一起;所述第一NMOS源极、所述第三PMOS源极、所述第四PMOS源极、所述第二NMOS源极、以及所述第一电源电压节点连接在一起;所述第三NMOS栅极、所述第四NMOS栅极、所述第三PMOS栅极、所述第四PMOS栅极连接在一起并且连接至所述控制信号线;所述第一数据线、所述第一PMOS漏极、所述第一NMOS漏极、所述第四NMOS漏极、以及所述第二PMOS栅极连接在一起;所述第二数据线、所述第二PMOS漏极、所述第二NMOS漏极、所述第三NMOS漏极、以及所述第一PMOS栅极连接在一起;所述第一NMOS栅极、所述第三NMOS源极、以及所述第三PMOS漏极连接在一起;以及所述第二NMOS栅极、所述第四NMOS源极、以及所述第四PMOS漏极连接在一起。
地址 中国台湾新竹
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