一种增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种增强型MIS结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG所在的高阻GaN层的源端到栅电极部分使用P型掺杂的GaN，于是在栅压为零时，由于P型GaN与2DEG界面处势垒的阻挡作用使得电子无法到达源电极实现器件导通，器件处于关断状态；当栅极加正电压时，栅极下的2DEG浓度提高，使其能带高度下降，随着电压进一步增大，2DEG能带高度进一步下降，2DEG与P型GaN的势垒厚度也不断减小，直到在漏源电压的作用下发生遂穿，实现器件导通。

主权项

一种增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，包括半绝缘衬底、缓冲层、GaN层、AlGaN层、源极、栅极、漏极以及栅介质层，源极和漏极均通过欧姆接触与GaN层、AlGaN层相连；其特征在于：所述GaN层在靠近电极一侧有一部分区域为P型掺杂GaN，对应于自源极至部分栅极所覆盖的区域。