发明名称 |
带有玻璃基板的半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种带有玻璃基板的半导体器件及其制造方法。一种制造半导体器件的方法,该方法包括:提供一个堆叠,该堆叠包括半导体晶圆和玻璃基板,该玻璃基板包括开口和附着到该半导体晶圆的至少一个沟槽。该半导体晶圆包括多个半导体器件。该玻璃基板的开口使得所述半导体器件的相应区域未被所述玻璃基板覆盖,该沟道连接该开口。至少在该沟槽和该开口暴露的侧壁和该半导体晶圆的半导体器件的未被覆盖的区域上,形成金属层。通过在该开口和该沟槽中电镀金属,随后研磨该玻璃基板除去该沟槽,形成金属区域。该半导体晶圆和所附着的玻璃基板的堆叠被切割以分离该半导体器件。 |
申请公布号 |
CN104167389A |
申请公布日期 |
2014.11.26 |
申请号 |
CN201410204303.5 |
申请日期 |
2014.05.14 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
C·冯克布林斯基;U·法斯特纳;P·佐恩;M·奥托维茨 |
分类号 |
H01L21/78(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
郑立柱 |
主权项 |
一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:提供一个堆叠,所述堆叠包括半导体晶圆和附着到所述半导体晶圆的玻璃基板,所述半导体晶圆包括多个半导体器件,所述玻璃基板包括多个开口,以及在所述玻璃基板远离所述半导体晶圆的一侧形成的至少一个沟槽,每个所述开口使得所述半导体器件的相应区域未被所述玻璃基板覆盖,所述沟槽连接所述开口,其中所述沟槽的深度小于所述玻璃基板的厚度;至少在所述沟槽和所述开口暴露的侧壁和在所述半导体晶圆的半导体器件的未被覆盖的区域上形成金属层;通过在所述开口和所述沟槽中电镀金属,随后研磨所述玻璃基板除去所述沟道以形成金属区域;以及切割所述堆叠以分离所述半导体器件,所述堆叠包括所述半导体晶圆和所附着的所述玻璃基板。 |
地址 |
德国诺伊比贝尔格 |