有序硅纳米线阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种有序硅纳米线阵列的制备方法，属于有序硅纳米线阵列制备领域。该方法包括：在硅片上通过旋涂制备双层聚苯乙烯微球密排阵列结构，之后用氩气等离子体蚀刻，得到初始模板；将所述初始模板放入硝酸铁溶液中浸润，浸润后再放入炉中高温退火，退火取出后得到三氧化二铁二次模板；在所述三氧化二铁二次模板表面溅射一层金膜，再放入氢氟酸、双氧水和去离子水的混合水溶液中蚀刻，蚀刻后在所述三氧化二铁二次模板所覆盖的硅片上即得到三倍密度的有序硅纳米线阵列。这种方法操作简单，成本低，可用于大规模生产。

主权项

一种有序硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括：在硅片上通过旋涂制备双层聚苯乙烯微球密排阵列结构，之后用氩气等离子体蚀刻，得到初始模板；将所述初始模板放入硝酸铁溶液中浸润，浸润后再放入炉中高温退火，退火取出后得到三氧化二铁二次模板；在所述三氧化二铁二次模板上溅射一层金膜，再放入氢氟酸、双氧水和去离子水的混合水溶液中蚀刻，蚀刻后在所述三氧化二铁二次模板所覆盖的硅片上即得到的有序硅纳米线阵列，具体包括：在所述三氧化二铁二次模板上用离子溅射喷金仪溅射一层厚度为30～36nm的金膜；将溅射金膜后的三氧化二铁二次模板放入到氢氟酸、双氧水和去离子水的混合水溶液中蚀刻2分钟，在三氧化二铁二次模板所覆盖的硅片得到有序硅纳米线阵列；其中，所述混合水溶液由氢氟酸和双氧水与去离子水按体积比为3：1：4配制而成，所述混合水溶液所用的氢氟酸的质量分数为40％，双氧水的质量分数为30％。