发明名称 操作微光刻投射曝光设备的方法及该设备的投射物镜
摘要 一种微光刻投射曝光设备(10)的投射物镜,包含波前校正装置(42),其包含:第一折射光学元件(44)和第二折射光学元件(54)。第一折射光学元件包含第一光学材料,对于所述设备的工作波长,所述第一光学材料具有随温度增加而减小的折射率。第二折射光学元件包含第二光学材料,对于所述设备的工作波长,所述第二光学材料具有随温度增加而增加的折射率。在所述校正装置(42)的校正模式中,第一加热装置(46;146)在所述第一光学材料中产生非均匀且可变化的第一温度分布,第二加热装置(56;156)在所述第二光学材料中产生非均匀且可变化的第二温度分布。
申请公布号 CN104169797A 申请公布日期 2014.11.26
申请号 CN201280071422.7 申请日期 2012.02.04
申请人 卡尔蔡司SMT有限责任公司 发明人 H.沃尔特;B.比特纳
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G02B7/02(2006.01)I;G02B27/00(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种操作微光刻投射曝光设备(10)的方法,所述方法包含以下步骤:a)提供包含投射物镜(20)的投射曝光设备,所述投射物镜(20)包含波前校正装置(42),所述装置包含:‑第一折射光学元件(44),所述第一折射光学元件包含第一光学材料,对于所述设备的工作波长,所述第一光学材料具有随温度增加而减小的折射率,‑第二折射光学元件(54),所述第二折射光学元件包含第二光学材料,对于所述设备的工作波长,所述第二光学材料具有随温度增加而增加的折射率,b)通过测量和/或模拟来确定所述投射物镜(20)的像差;c)通过考虑步骤b)中确定的所述像差,确定第一位相变化和第二位相变化,其中,如果所述第一位相变化由所述第一折射光学元件(44)产生,而所述第二位相变化由所述第二折射光学元件(54)产生,则步骤b)中确定的所述像差被修改;d)通过使用第一加热装置(46;146)改变所述第一光学材料中的温度分布,产生所述第一位相变化;e)通过使用第二加热装置(56;156)改变所述第二光学材料中的温度分布,产生所述第二位相变化,所述第二加热装置不同于且独立于所述第一加热装置(46;146)。
地址 德国上科亨