Verfahren zum Erzeugen eines Durchkontakts in einem CMOS-Substrat

摘要

Es wird ein Verfahren zum Erzeugen eines Durchkontakts in einem CMOS-Substrat vorgeschlagen, das sich einfach und kostengünstig in einen CMOS-Prozess integrieren lässt. Der Durchkontakt (10) soll sich zumindest über das hochdotierte Grundsubstrat (1) des CMOS-Substrats (100) und mindestens eine schwachdotierte Funktionsschicht (2) auf dem Grundsubstrat (1) erstrecken. Dazu wird im Bereich des zu erzeugenden Durchkontakts (10) mindestens eine Öffnung in Form eines Vorderseitentrenchs (21) in der Funktionsschicht (2) erzeugt, der sich über die gesamte Funktionsschicht (2) bis in das Grundsubstrat (1) erstreckt. Der Vorderseitentrench (21) wird zumindest teilweise mit einem leitfähigen Material (3) verfüllt und an mindestens eine Verdrahtungsebene (41) eines Schichtaufbaus (4) auf der Funktionsschicht (2) elektrisch angebunden. Der Durchkontakt (10) wird durch mindestens einen Rückseitentrench (13) definiert, der sich von der Rückseite des Grundsubstrats (1) bis in die Funktionsschicht (2) des CMOS-Substrats (100) erstreckt.