垂直ドレイン‐ゲート容量結合方式の不揮発性メモリ素子

摘要

ドレイン領域と浮遊ゲートとの間に容量結合部を備えた垂直組立て形不揮発性メモリ素子。二端子プログラム可能不揮発性素子（２００）が基板周りに垂直に設けられた浮遊ゲート（２１０）を有し、浮遊ゲートは、第１の側部（２１３）、第２の側部（２１５）及び底部（２１７）を備えている。ソース領域（２４０）が第１の端子に結合された状態で浮遊ゲートの第１の側部に隣接して形成されている。ドレイン領域（２２０）が第２の端子に結合された状態で浮遊ゲートの第２の側部に隣接して形成されている。不揮発性素子は、プログラミング及び消去操作を可能にするようソース領域とドレイン領域を互いに結合したチャネル（２９０）を有している。ドレイン領域は、浮遊ゲートに容量結合されている。チャネルを基板又は基板のフィン形状部分内に引っ込めるのが良い。ゲート絶縁層は、ドレイン側よりもソース側のほうが厚い。【選択図】図２