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Leistungshalbleitervorrichtung mit einem aktiven Bereich (128) und einem Bereich zur Verringerung der elektrischen Feldstärke (130), die aufweist: eine Emitterregion (92) eines ersten Leitungstyps; eine Basisregion (96) eines zweiten Leitungstyps in Kontakt zu der Emitterregion (92); einer Region, welche für die Spannungsfestigkeit sorgt (28), eines ersten Leitungstyps in Kontakt zu der Basisregion (96); eine Kollektorregion (170, 172, 126) des zweiten Leitungstyps in Kontakt mit der Region, welche für die Spannungsfestigkeit sorgt (28); und eine Kollektorelektrode (20) in Kontakt zu der Kollektorregion (170, 172, 126); wobei die Kollektorregion (170, 172, 126) sowohl auf einem aktiven Bereich (128) als auch auf einem Bereich zur Verringerung der elektrischen Feldstärke (130) angeordnet ist, von denen jeder einen Dotierstoff des zweiten Leitungstyps aufweist, und wobei die auf dem aktiven Bereich angeordnete Kollektorregion (170, 172) eine Mehrzahl von Regionen (172) mit einer höheren Dichte der Ladungsträger des zweiten Leitungstyps enthält als jener der Kollektorregion (126), die auf dem Bereich zur Verringerung der elektrischen Feldstärke (130) angeordnet ist. |
