| 摘要 |
<p>Verfahren zur Aufrechterhaltung niedrigster Dotierstoffkonzentration in der Halbleiterfertigung durch Verhindern einer Kontamination mit Dotierstoff von außen, bei dem–ein Substrat (1) aus Halbleitermaterial mit einem dotierten Bereich einer Dotierstoffkonzentration von höchstens 1013 cm–3 versehen wird,–eine ganzflächige Oxidschicht (7) aufgebracht wird, mit der der dotierte Bereich bedeckt wird,–eine ganzflächige Nitridschicht (8) auf die Oxidschicht (7) aufgebracht wird und–das Substrat einer erhöhten Temperatur ausgesetzt wird, so dass ein Ausheilen oder Eintreiben von Dotierstoff erfolgt, wobei die Dotierstoffkonzentration in dem dotierten Bereich auf 1013 cm–3 begrenzt bleibt.</p> |
