发明名称 一种鲜酒糟蕈菌栽培基料的制作方法
摘要 本发明涉及一种鲜酒糟加工蕈菌栽培基料的方法,第一次配料,按重量配比100份鲜酒加2~4份生石灰和1~2份碳酸钙调节pH至6.5~8.0,加热升温至50~80℃常压下维持10~20分钟促进脱酸;第二次配料,加5~20份麸皮或米糠、1~10份菜粕、0~3份红糖或糖蜜,继续升温进入第一次灭菌过程;第一次灭菌温度保持在105~120℃、压力0.05~0.2MPa,维持20~40分钟,灭菌结束后装袋封口,装袋时基料温度保持在50~100℃;第二次灭菌采用常压灭菌,常压灭菌温度90~100℃保持30~60分钟,杀死菌袋及装料过程带入的杂菌,灭菌结束后自然冷却,接种即可。
申请公布号 CN104151012A 申请公布日期 2014.11.19
申请号 CN201410250614.5 申请日期 2014.06.09
申请人 泰安生力源生物工程有限公司 发明人 李军训
分类号 C05G3/00(2006.01)I 主分类号 C05G3/00(2006.01)I
代理机构 泰安市泰昌专利事务所 37207 代理人 高强
主权项 一种鲜酒糟蕈菌栽培基料的制作方法,其特征在于:第一次配料:向膨化罐加入重量份100份的鲜酒糟、2~4质量份生石灰和1~2质量份碳酸钙,调节pH至6.5~8.0,加热升温至50~80℃常压下维持10~20分钟促进脱酸;第二次配料:向经过上述一次配料后的膨化罐中加入5~20质量份麸皮或米糠、1~10质量份菜粕、0~3质量份红糖或糖蜜,形成栽培基料,关闭膨化罐进料口,升温进入灭菌过程;第一次灭菌:温度保持在105~120℃、压力0.05~0.2MPa,维持20~40分钟,灭菌过程一直进行搅拌使物料均匀受热;第一次灭菌结束后,栽培基料温度50~100℃时装袋封口;第二次灭菌:对上述一次灭菌装袋的基质密闭环境中常压灭菌,温度90~100℃,保持30~60分钟,杀死菌袋及装料过程带入的杂菌,灭菌结束后自然冷却,制得鲜酒糟蕈菌栽培基料。
地址 271000 山东省泰安市高新区北天门大街