| 发明名称 | 中介层装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种中介层装置，包括：掺杂硅衬底(1)，其具有在第一面上的外延层(24)和两个通孔(11，12)，该通孔从第一面延伸到与掺杂硅衬底的第一面相对的第二面。各个通孔包括通过周围沟槽(7)所限定的掺杂硅衬底的体积，周围沟槽从掺杂硅衬底的第一面延伸到第二面使得周围沟槽被布置成电隔离通过所述沟槽所包围的掺杂硅衬底。第一导电层和第二导电层(121，122)分别放置在第一通孔的第一面和第二面上以便电连接到一起，第三导电层和第四导电层(112，11)分别放置在第二通孔的表面上以便电连接到一起。第一导电层(122)和第三导电层(112)通过背对背二极管(35)连接到一起，其中，二极管通过二极管沟槽(6)隔离，该二极管沟槽的深度至少等于外延层(24)的深度。还提供了形成中介层装置的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104160498A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201280067254.4 | 申请日期 | 2012.12.06 |
| 申请人 | 爱普迪亚公司 | 发明人 | 让-勒尼·泰耐洛;吉勒斯·费鲁 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种中介层装置，包括：掺杂硅衬底(1)，所述掺杂硅衬底具有在第一面上的外延层(24)和两个通孔(11，12)，所述通孔从所述掺杂硅衬底的所述第一面延伸到与所述第一面相对的第二面，其中，每个通孔包括通过周围沟槽(7)所限定的掺杂硅衬底的体积，所述周围沟槽从所述掺杂硅衬底的所述第一面延伸到所述第二面，使得所述周围沟槽被布置成电隔离通过所述沟槽所包围的所述掺杂硅衬底；第一导电层和第二导电层(121，122)，所述第一导电层和所述第二导电层分别置于第一通孔的第一面和第二面上以便电连接在一起；第三导电层和第四导电层(112，111)，所述第三导电层和所述第四导电层分别置于第二通孔的表面上以便电连接在一起，所述第一导电层(122)和所述第三导电层(112)通过背对背二极管(35)连接到一起，其中，所对应的二极管通过二极管沟槽(6)隔离，所述二极管沟槽具有的深度至少等于所述外延层(24)的深度。 | ||
| 地址 | 法国卡昂 | ||