用于钴合金无电沉积的碱性镀浴

摘要

本发明涉及用于三元和四元钴合金Co-M-P、Co-M-B及Co-M-B-P的无电沉积的水性碱性镀浴组合物，其中M选自由Mn、Zr、Re、Mo、Ta及W组成的群组，所述组合物包含炔丙基衍生物作为稳定剂。由其得到的钴合金层适用作例如半导体装置、印刷电路板及IC衬底等电子装置中的障壁层和顶盖层。

主权项

一种用于三元和四元钴合金Co‑M‑P、Co‑M‑B及Co‑M‑B‑P的无电沉积的水性碱性镀浴组合物，其中M选自由Mn、Zr、Re、Mo、Ta及W组成的群组，所述镀浴包含：(i)钴离子来源，(ii)M离子来源，(iii)至少一种络合剂，其选自包含羧酸、羟基羧酸、氨基羧酸及上述各物的盐的群组，并且其中所述至少一种络合剂的浓度在0.01到0.3mol/l的范围内，(iv)至少一种还原剂，其选自由次磷酸根离子、基于硼烷的还原剂及其混合物组成的群组，及(v)根据式(1)的稳定剂：其中X选自O和NR⁴，n在1到6的范围内，m在1到8的范围内；R¹、R²、R³及R⁴独立地选自氢和C₁到C₄烷基；Y选自SO₃R⁵、CO₂R⁵及PO₃R⁵₂，并且R⁵选自氢、钠、钾及铵，其中所述根据式(1)的稳定剂的浓度在0.05到5.0mmol/l的范围内。