TEM平面样品的制备方法

摘要

本发明提供了一种TEM平面样品的制备方法，包括以下步骤：提供一晶片，所述晶片包括基底和半导体器件层，在所述半导体器件层的上面涂布有机物薄膜，切割涂布有有机物薄膜的晶片形成待测样品，与涂有有机物薄膜的表面相邻的一表面形成保护层，对所述待测样品执行离子减薄，形成TEM平面样品。在本发明提供的TEM平面样品的制备方法中，通过在样品上覆盖一定厚度的有机物薄膜，避免样品制备过程中保护层的材料（Pt或W）溅到样品上，影响样品的观测。由此，平面样品可以得到清晰的TEM图像，实现了用平面样品观察和分析薄膜填充能力的目的，弥补了现有技术中截面样品的分析局限性。

主权项

一种TEM平面样品的制备方法，其特征在于，包括：提供一晶片，所述晶片包括基底和半导体器件层；在所述半导体器件层的上面涂布有机物薄膜；切割涂布有有机物薄膜的晶片形成待测样品；与涂有有机物薄膜的表面相邻的一表面形成保护层；对所述待测样品执行离子减薄，形成TEM平面样品。