ESD保护半导体器件

摘要

一种半导体衬底，设置有：布置在表面(10)处彼此相隔一定距离的第一导电类型的源区(2)和漏区(3)，布置在源区(2)与漏区(3)之间的与第一导电类型相反的第二导电类型的沟道区(4)，以及布置在沟道区(4)上方的栅电极(6)。第一导电类型的衬底阱(7)布置在衬底(1)中并与源区(2)间隔一定距离。衬底阱(7)与漏区(3)邻接，并且源区(2)与衬底阱(7)之间的距离大于源区(2)与漏区(3)之间的距离。

主权项

一种ESD保护半导体器件，包括：半导体衬底(1)，具有表面(10)；第一导电类型的源区(2)和漏区(3)，所述源区(2)和所述漏区(3)布置在所述衬底(1)中，位于或邻近于所述表面(10)，并且彼此间隔开距离；第二导电类型的沟道区(4)，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，所述沟道区(4)布置在所述源区(2)和所述漏区(3)之间，以及栅电极(6)，布置在所述沟道区(4)上方，其特征在于：所述第一导电类型的衬底阱(7)布置在所述衬底(1)中，并与所述源区(2)间隔开距离，所述衬底阱(7)与所述漏区(3)邻接，以及所述源区(2)与所述衬底阱(7)之间的距离大于所述源区(2)与所述漏区(3)之间的距离。