| 发明名称 | 抗干扰存储元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了抗干扰存储元件。抗干扰存储元件包括：静态随机存储器单元，包括第一和第二反相器，所述第一和第二反相器的输出分别为第一存储节点和第二存储节点，所述第一和第二存储节点存储的值合起来表示所述静态随机存储器单元存储的数据；第一CMOS互补传输门、第二CMOS互补传输门，其中第一和第二反相器的输出分别经第一CMOS互补传输门、第二CMOS互补传输门连到对方的控制端。本发明实施例提高了读取1或0时的噪声容限，同时阈值电压损失不至于过大。 | ||
| 申请公布号 | CN104157304A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201410378139.X | 申请日期 | 2014.08.01 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人 | 朱海波 |
| 主权项 | 一种抗干扰存储元件，其特征在于包括：静态随机存储器单元，包括第一和第二反相器(INV1,INV2)，所述第一和第二反相器(INV1,INV2)的输出分别为第一存储节点(Q)和第二存储节点(QB)，所述第一和第二存储节点(Q，QB)存储的值合起来表示所述静态随机存储器单元存储的数据；第一CMOS互补传输门(M7，M8)、第二CMOS互补传输门(M9、M10)，其中第一和第二反相器(INV1,INV2)的输出分别经第一CMOS互补传输门(M7，M8)、第二CMOS互补传输门(M9、M10)连到对方的控制端(Q’,QB’)。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||