一种超低介电常数微波介质材料

摘要

本发明公开的超低介电常数微波介质材料，其晶相含量为0或低于5mol%，介电常数为3.2～3.9，表达式为xSiO₂-yB₂O₃-zLi₂O，其中40mol%≤x≤90mol%，10mol%≤y≤40mol%，0mol%≤z≤20mol%，x+y+z=100mol%。该超低介电常数微波介质材料同时具有高Qf值(40,000~80,000GHz)及近零的谐振频率温度系数(-9~-4ppm/^oC)。将本发明提供的超低介电常数微波介质材料用于微波基板，可显著降低微波在基板传输过程中的信号延迟，从而满足微波通讯高频化发展趋势对微波基板材料提出的更高要求。

主权项

一种超低介电常数微波介质材料，其特征在于：该材料的晶相含量为0或低于5mol%，其介电常数为3.2～3.9，表达式为xSiO₂‑yB₂O₃‑zLi₂O，其中40mol%≤x≤90mol%，10mol%≤y≤40mol%，0mol%≤z≤20mol%， x+y+z=100mol%。