| 发明名称 | 选择性纳米发射极太阳能电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种选择性纳米发射极太阳能电池及其制备方法，选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法包括如下步骤，对制绒后的硅片进行重扩散；在重扩散后的硅片的电极区的上面镀掩膜；用氢氟酸和含有Ag<sup>+</sup>、Fe<sup>3+</sup>、Au<sup>3+</sup>或Cu<sup>2+</sup>中的一种或多种金属离子的混合溶液对镀掩膜后的硅片进行后刻蚀。本发明的选择性纳米发射极太阳能电池的发射极方阻均匀、反射率低、表面复合和俄歇复合低，并且电极能够形成良好的欧姆接触。 | ||
| 申请公布号 | CN104157724A | 申请公布日期 | 2014.11.19 |
| 申请号 | CN201310174133.6 | 申请日期 | 2013.05.13 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 刘尧平;王燕;梁会力;梅增霞;杜小龙 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 一种选择性纳米发射极太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）对制绒后的硅片进行重扩散；2）在重扩散后的硅片的电极区的上面镀掩膜；3）用氢氟酸和含有Ag<sup>+</sup>、Fe<sup>3+</sup>、Au<sup>3+</sup>或Cu<sup>2+</sup>中的一种或多种金属离子的混合溶液对镀掩膜后的硅片进行后刻蚀。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||